虽然随着技术的最多逐步走发展，摩尔定律已经失效 ，将提即但是供个工艺高性芯片工艺制程技术的进步 ，也正在创造着新的内核能历史。根据wccftech报道
，发布AMD未来基于Zen 6内核架构的成熟第六代EPYC Venice CPU将采用台积电2nm制程，并计划将处理器核心提升至最多达256个，最多逐步走缓存总容量也将达到1GB 。将提即

在去年的供个工艺高性“AMD Tech Day 2024”上 
，AMD正式更新了CPU的内核能技术路线图 ，云计算并首次公开确定了Zen 5系列之后将是发布Zen 6系列架构
 ，分为Zen 6和Zen 6c。成熟根据最新曝光的最多逐步走资料显示 ，新一代的将提即AMD EPYC 9006系列将与台积电合作，首款产品将采用台积电N2工艺，供个工艺高性面向场景为高性能计算
。

资料显示，AMD EPYC 9006系列代号为Vencie（威尼斯），并将分别推出标准版的Zen6和高能效版Zen6c两个版本产品 。

其中 ，Zen 6c将采用SP7接口，每个CCD 将设计为32个核心  ，免费模板总的核心数量将达到256个内核512个线程，并支持16通道DDR5-6400内存。除此之外，AMD Zen 6c还为每个CCD配备了128MB三级缓存 ，总计缓存容量多达1GB。除了拥有更高的性能之外，Zen6c架构的热设计功耗也高达600W。

AMD Zen 6架构采用了两种不同的接口 ，其中采用SP8封装接口的产品将配置12个CCD，最多将达到96核心192线程，并且支持4/8通道DDR5-6400
。高防服务器采用SP7封装接口的产品将采用16个CCD设计 ，最多将达到128核心256线程 ，支持16通道DDR5-6400。两者的热设计功耗均为350-400W。

根据AMD公布的计划
，第六代EPYC处理器预计在2026年推出，这也是业界首款以台积电（TSMC）N2工艺技术流片的高性能计算（HPC）芯片。

从Venice流出的一张局部内核图我们可以清楚地看到
，左侧四个CCD，每个CCD 12核心
，服务器租用显然右侧还有四个CCD，而中间似乎是两个IOD 。

目前
 ，采用Zen 5架构AMD 9005系列处理器是AMD的主力产品。通过数据的对比，我们可以更加直观地看到下一代AMD 9006系列处理器的技术进步 。Zen 5架构仍旧有Zen 5和Zen 5c两种规格的产品组成，其中Zen 5架构的处理器采用4nm工艺，每颗芯片内最多16个，源码库总计最多128核心256线程。Zen 5c采用3nm工艺，每颗芯片内最多12个，总计最多192核心384线程。

据了解，采用台积电2nm GAAFET架构的AMD第六代EPYC处理器已经完成了流片，采用全环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）技术的台积电2nm工艺技术上取得了重大的突破 ，已经具备了量产的能力
 。据了解 ，相比传统FinFET架构 ，GAAFET晶体管密度提升30% ，漏电率显著降低
 ，建站模板功耗和性能优化明显。

除了2nm工艺之外，台积电仍然在持续优化3nm技术。通过改进工艺节点，台积电推出了多个3nm版本，包括基础版N3 、增强版N3E（性能提升5%） 、高性能版N3P（性能提升10%，功耗降低5-10%）以及面向汽车电子的N3AE等。通过这种工艺版本化的策略 ，台积电不仅满足了不同客户需求 ，还通过持续优化延长了3nm的技术生命周期 。

在生产制造方面 ，台积电通过AI驱动的工艺控制系统（如Smart Manufacturing平台） ，实时优化2000余项参数，使3nm工艺的过程能力指数（CPK）稳定在1.67
，远超行业基准1.33。同时，缺陷检测周期缩短了40%，显著提升了量产效率。

除了台积电之外，三星采用全环绕栅极（GAA）晶体管技术的3nm MBCFET架构也通过SF3E、SF3P等版本的迭代，使其良率不断提升。当然，受初期良率不足问题影响，仍然需要一定的时间来取得客户信任 。

可以说 ，虽然采用2nm技术工艺的产品即将面世，但随着3nm技术工艺的不断成熟，未来很长一段时间内仍然是芯片产品的首选  。